| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行离子注入；刻蚀所述多晶硅层，形成功能层；依次进行灰化处理和湿法清洗。本发明所形成半导体结构的性能较佳。 | ||
| 申请公布号 | CN103972094B | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201310037709.4 | 申请日期 | 2013.01.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;孟晓莹 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行离子注入；刻蚀所述多晶硅层，形成功能层；依次进行灰化处理和湿法清洗，所述进行灰化处理包括：先进行第一灰化处理，再进行第二灰化处理；所述第一灰化处理的气体为氧气，所述第二灰化处理的气体为氮气和氢气的混合气体。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||