| 发明名称 | 单斜相Ga<sub>2</sub>S<sub>3</sub>晶体的制备方法及其在光学上的应用 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种单斜相的高温固相硼硫化制备方法，包括如下步骤：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、B和S按照1：2：3的摩尔比例混合研磨，压片装入真空石英管，以30～40℃/h的速率升温至850‑980℃，恒温48‑144小时，再以2～6℃/h的速率降温至250℃，洗掉副产物B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>（优选用热水洗涤），制得单斜相Ga<sub>2</sub>S<sub>3</sub>微晶。本发明还提供一种单斜相Ga<sub>2</sub>S<sub>3</sub>晶体作为红外波段二阶非线性晶体材料的应用。该晶体具有大的非线性光学系数，倍频信号约为KTP的0.7倍，且在1910nm处相位匹配，在1064nm下激光损伤阈值为174MW/cm<sup>2</sup>，高于AGS和LIS，可作为良好的非线性光学晶体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN103484938B | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201210526093.2 | 申请日期 | 2012.12.10 |
| 申请人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明人 | 张明建;郭国聪;曾卉一;姜小明;范玉航;刘彬文 |
| 分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I;G02F1/37(2006.01)I;G02F1/39(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人 | 张晓霞 |
| 主权项 | 一种二元金属硫化物晶体材料的制备方法，所述金属硫化物的化学式为Ga<sub>2</sub>S<sub>3</sub>，单斜晶系，空间群为Cc，单胞参数为<img file="FDA0001162717940000011.GIF" wi="103" he="38" /><img file="FDA0001162717940000012.GIF" wi="1490" he="91" />α＝90°，β＝121.15(9)°，γ＝90°，Z＝4，其特征在于：将Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、B和S按照摩尔比例为1∶2∶3进行混合研磨，压片封入真空石英管中，以一定的温度曲线处理得到单斜相Ga<sub>2</sub>S<sub>3</sub>产物，其中，所在真空石英管中所述处理温度为以30～40℃/h的速率升温至850‑980℃，恒温60或144小时，再以2～6℃/h的速率降温至250℃。 | ||
| 地址 | 350002 福建省福州市杨桥西路155号 | ||