| 发明名称 | 氮化物半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种抑制深能级发光、提高单色性进而发光效率好的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间具有发光层，上述n型氮化物半导体层包含Al<sub>n</sub>Ga<sub>1－n</sub>N(0＜n≤1)，所包含的C浓度为1×10<sup>17</sup>/cm<sup>3</sup>以下。 | ||
| 申请公布号 | CN106463576A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201480079821.7 | 申请日期 | 2014.06.13 |
| 申请人 | 优志旺电机株式会社 | 发明人 | 月原政志;三好晃平;杉山彻 |
| 分类号 | H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 周欣;陈建全 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，其在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间具有发光层，上述n型氮化物半导体层包含Al<sub>n</sub>Ga<sub>1－n</sub>N，其中0＜n≤1，且所包含的C浓度为1×10<sup>17</sup>/cm<sup>3</sup>以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||