| 发明名称 | 用于低损耗模转换器的倒锥波导 | ||
| 摘要 | 一种装置，包括：基底，所述基底包括设置在其顶部的二氧化硅(SiO<sub>2</sub>)材料；硅波导，所述硅波导包括第一绝热锥形，并且被封闭在所述二氧化硅材料中；以及低折射率波导，所述低折射率波导设置在所述基底顶部并邻近所述第一绝热锥形。一种模转换器制作方法，包括：获取模转换器，所述模转换器包括基底、硅波导和硬膜，所述硅波导设置在所述基底上且包括侧壁和第一绝热锥形，所述硬膜设置在所述硅波导上且包括二氧化硅(SiO<sub>2</sub>)层，其中所述硬膜不覆盖所述侧壁；以及氧化所述硅波导和所述硬膜，其中所述氧化所述硅波导和所述硬膜将所述硅波导封闭在所述二氧化硅层内。 | ||
| 申请公布号 | CN106461873A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201580023658.7 | 申请日期 | 2015.04.30 |
| 申请人 | 华为技术有限公司 | 发明人 | 杨莉;潘华璞;徐千帆;郑大卫;沈晓安 |
| 分类号 | G02B6/30(2006.01)I;G02B6/122(2006.01)I;G02B6/14(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 杨文娟;臧建明 |
| 主权项 | 一种装置，包括：基底，所述基底包括设置在所述基底顶部的二氧化硅SiO<sub>2</sub>材料；硅波导，所述硅波导包括第一绝热锥形，并且封闭在所述二氧化硅材料中；以及低折射率波导，所述低折射率波导设置在所述基底顶部并邻近所述第一绝热锥形。 | ||
| 地址 | 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 | ||