发明名称 一种太赫兹片上嵌入多路耦合器的功率合成天线
摘要 本发明公开一种太赫兹片上嵌入多路耦合器的功率合成天线,其特征在于,自底向上依次包括地平面、耦合线圈、等长交叉双环天线;该功率合成天线使用标准CMOS工艺,所述地平面上开有环形的地平面开槽,地平面开槽将地平面分割成地平面A和圆形的地平面B,圆形的地平面B位于环形的地平面开槽的中心;所述耦合线圈为带有缺口的环形线圈,缺口处引出两条线接外部工作电路,用于四路差分信号输出;所述耦合线圈包括耦合线圈A、耦合线圈B、耦合线圈C和耦合线圈D;所述等长交叉双环天线包括相互交叉的环A和环B;该太赫兹片上嵌入变压器的功率合成天线,可以作为太赫兹源使用,有利于缩小太赫兹设备的尺寸,降低制作成本。
申请公布号 CN106450725A 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201610898872.3 申请日期 2016.10.14
申请人 江苏大学 发明人 徐雷钧;仝福成;白雪;管佳宁
分类号 H01Q1/38(2006.01)I;H01Q23/00(2006.01)I;H01P5/18(2006.01)I 主分类号 H01Q1/38(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种太赫兹片上嵌入多路耦合器的功率合成天线,其特征在于,自底向上依次包括地平面、耦合线圈、等长交叉双环天线;该功率合成天线使用标准CMOS工艺,该工艺包含至少四层金属;地平面使用最底层金属Metal1;耦合线圈使用第二层金属Metal2;等长交叉的双环天线的结构使用最顶层金属层Metal4,受到加工工艺的限制,连接部分需要使用到第三层金属层Metal3,并且使用过孔进行连接;所述地平面上开有环形的地平面开槽(7),地平面开槽(7)将地平面分割成地平面A(6)和圆形的地平面B(8),圆形的地平面B(8)位于环形的地平面开槽(7)的中心;地平面A(6)在环绕地平面开槽(7)的一周,均匀分布伸入地平面开槽(7)内部的凸起A(33)、凸起B(34)、凸起C(35)和凸起D(36),上述凸起用于信号注入端接地,在天线和地平面A(6)之间形成回路;地平面B(8)用于耦合线圈接地面使用;所述耦合线圈为带有缺口的环形线圈,缺口处引出两条线接外部工作电路,用于进行四路差分信号输出;所述耦合线圈包括耦合线圈A(13)、耦合线圈B(14)、耦合线圈C(15)和耦合线圈D(16);耦合线圈按照相差物理角度90度、和伸入地平面开槽(7)的凸起相差45度分布在等长交叉双环天线的一周,且位于等长交叉双环天线下方;所述耦合线圈A(13)的接地线通过过孔A(9)连接地平面B(8);耦合线圈B(14)的接地线通过过孔B(10)连接地平面B(8);耦合线圈C(15)的接地线通过过孔C(11)连接地平面B(8);耦合线圈D(16)的接地线通过过孔D(12)连接地平面B(8);所述等长交叉双环天线包括相互交叉的环A(23)和环B(24);环A(23)和环B(24)的主体部分位于金属层Metal4,环A(23)和环B(24)的交叉处呈180度分布,由于受到工艺的限制,该交叉处分别设有辅助连接A(17)和辅助连接B(18),且辅助连接A(17)和辅助连接B(18)均位于金属层Metal3,其中辅助连接B(18)通过过孔G(21)和过孔H(22)同环A(23)的主体部分相连;辅助连接A(17)通过过孔E(19)和过孔F(20)同环B(24)的主体部分相连;环A和环B的周长相等,为基波信号的波长。
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