半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

所公开的半导体装置，包括：绝缘层；嵌入在绝缘层中的源电极和漏电极；接触于绝缘层、源电极和漏电极的氧化物半导体层；覆盖氧化物半导体层的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极。接触于氧化物半导体层的绝缘层的上表面的均方根（RMS）粗糙度是1nm以下。绝缘层的上表面与源电极的上表面有高度差，以及绝缘层的上表面与漏电极的上表面有高度差。优选高度差为5nm以上。本结构有助于抑制半导体装置的缺陷且实现其微型化。

主权项

一种半导体装置，包括：绝缘层；嵌在所述绝缘层中的漏电极和源电极；在所述绝缘层的上表面上并且与所述上表面接触的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及在所述栅极绝缘层上的栅电极，其中所述绝缘层具有到达所述源电极的上表面的第一开口以及到达所述漏电极的上表面的第二开口，其中所述氧化物半导体层通过所述第一开口与所述源电极接触，并且通过所述第二开口与所述漏电极接触，以及其中所述绝缘层的所述上表面的高度高于所述源电极的所述上表面和所述漏电极的所述上表面中的每个的高度。