| 发明名称 | ESD保护器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种ESD保护器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的半导体埋层；位于所述半导体衬底上的外延半导体层，所述外延半导体层包括第一掺杂区和第二掺杂区，其中所述半导体衬底和所述第一掺杂区分别为第一掺杂类型，所述半导体埋层、所述外延半导体层和所述第二掺杂区分别为第二掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反，所述第一掺杂区与所述外延半导体层之间形成多个界面。本发明可在不增大ESD保护器件寄生电容的情况下提高ESD保护性能和最大的电流承受能力。 | ||
| 申请公布号 | CN106449636A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610891006.1 | 申请日期 | 2016.10.12 |
| 申请人 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 发明人 | 姚飞;王世军;殷登平 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/866(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人 | 蔡纯;高青 |
| 主权项 | 一种ESD保护器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的半导体埋层；位于所述半导体衬底上的外延半导体层，所述外延半导体层包括第一掺杂区和第二掺杂区，其中所述半导体衬底和所述第一掺杂区分别为第一掺杂类型，所述半导体埋层、所述外延半导体层和所述第二掺杂区分别为第二掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反，所述第一掺杂区与所述外延半导体层之间形成多个界面。 | ||
| 地址 | 310012 浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501 | ||