辐射检测结构及其制造方法

摘要

本发明呈现辐射检测结构及其制造方法。所述方法包含(例如)：提供衬底，所述衬底包含从其上表面延伸到所述衬底中的至少一个沟槽；以及从所述衬底的所述至少一个沟槽的一或多个侧壁外延地形成辐射响应性半导体材料层，所述辐射响应性半导体材料层通过在其中产生电荷载流子来响应于入射辐射。在一个实施例中，所述衬底的所述至少一个沟槽的所述侧壁包含所述衬底的(111)表面，其促进外延地形成所述辐射响应性半导体材料层。在另一实施例中，所述辐射响应性半导体材料层包含六方氮化硼，且所述外延地形成包含利用a轴线来提供所述六方氮化硼，所述a轴线平行于所述沟槽的所述侧壁。

主权项

一种方法，其包括：构造一种辐射检测结构，所述构造包括：提供衬底，所述衬底包括从其上表面延伸到所述衬底中的至少一个沟槽；以及在所述衬底的所述至少一个沟槽的一或多个侧壁上方外延地形成辐射响应性半导体材料层，所述辐射响应性半导体材料层通过在其中产生电荷载流子而响应于入射辐射。