发明名称 |
卷对卷金属衬底的硒化或硫化方法 |
摘要 |
本发明披露用于加工前体材料的方法和系统。所述方法包括将衬底引入到真空腔室的第一区域中,所述衬底的表面上沉积有前体材料。所述前体材料包含铜;铟;以及镓、硒、硫、钠、锑、硼、铝和银中的至少一种。所述方法进一步包括在所述第一区域内,将所述前体材料加热到在约270℃到约490℃范围内的目标反应温度。所述方法进一步包括使硒蒸气维持在所述真空腔室的第二区域中,并且在将所述前体材料加热到所述目标反应温度后,将所述前体材料和所述衬底引入到所述真空腔室的所述第二区域中。 |
申请公布号 |
CN106460143A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201580030452.7 |
申请日期 |
2015.06.08 |
申请人 |
纽升股份有限公司 |
发明人 |
A·C·沃尔;J·K·金姆;E·贝科夫;S·高;江祥忠;B·D·赫克特曼 |
分类号 |
C23C8/02(2006.01)I;C23C8/08(2006.01)I |
主分类号 |
C23C8/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 |
代理人 |
徐舒 |
主权项 |
一种方法,包含:将衬底引入到真空腔室的第一区域中,所述衬底的表面上沉积有前体材料,其中所述前体材料包含铜;铟;以及镓、钠、硒、硫、锑、硼、铝和银中的至少一种;在所述第一区域内,将所述前体材料加热到在约270℃到约490℃范围内的目标反应温度;使硒蒸气或硫蒸气中的一个维持在所述真空腔室的第二区域中;以及将所述前体材料加热到所述目标反应温度后,将所述前体材料和所述衬底引入到所述真空腔室的所述第二区域中。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |