| 摘要 |
【課題】従来技術に比較して簡単な回路構成で、室温において消費電力が小さくなるようにリフレッシュ周期を制御する。【解決手段】それぞれ選択用トランジスタと記憶素子とを有する複数のメモリセルを備えた揮発性半導体記憶装置のリフレッシュ制御回路であって、上記揮発性半導体記憶装置の通常記憶用メモリセルとは異なるメモリセルの記憶電圧を所定のしきい値電圧と比較して比較結果信号を出力する第１の比較手段を備え、上記記憶電圧が所定のしきい値電圧未満に低下するまでは上記メモリセルのセルフリフレッシュを停止する。ここで、上記揮発性半導体記憶装置の通常記憶用メモリセルとは異なるメモリセルは、上記通常記憶用メモリセルのアレイに隣接する領域に形成される。【選択図】図２ |
