非易失性存储器的直通阵列布线

摘要

描述用于在非易失性存储器中对接入线布线的技术。在一些实施例中，技术包括在非易失性存储器中的存储器阵列的一部分中形成一个或多个直通阵列通孔，例如在阵列区或外围区中。一个或多个接入线可通过直通阵列通孔布线，而不是在存储器阵列的阵列或外围区上方或下方的区内。这可以实现备选布线配置，并且可实现对额外接入线布线而不使非易失性存储器的块高度增加或大致增加。还描述采用这样的技术的非易失性存储器。

主权项

一种非易失性存储器，其包括：存储器阵列，其包括在绝缘层上形成的交替介电和导电层的堆栈，所述存储器阵列进一步包括阵列区和外围区；在阵列区和外围区中的至少一个下面形成并且电耦合于所述非易失性存储器的另一个部件的结构；以及直通阵列通孔，其在所述阵列区和所述外围区中的至少一个中形成；其中所述存储器阵列的至少一个接入线通过所述直通阵列通孔布线。