| 发明名称 | 发光器件的成形方法 | ||
| 摘要 | 各个实施例提供了一种形成发光器件的方法。所述方法可进一步包括设置多层结构，其中所述多层结构依次包括衬底、第一导电类型的第一半导体层、有源层以及第二导电类型的第二半导体层，并且包括至少一个金属接触层，所述至少一个金属接触层在第一半导体层和第二半导体层的至少一个上形成。所述方法进一步包括在所述至少一个金属接触层上方形成至少一个沟槽，并且在所述至少一个沟槽中形成至少一个金属支撑物。 | ||
| 申请公布号 | CN106463596A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201580024877.7 | 申请日期 | 2015.05.07 |
| 申请人 | 南洋理工大学 | 发明人 | 鞠振刚;刘伟;张雪亮;陈瑞添;纪云;张紫辉;希勒米·沃尔坎·德米尔 |
| 分类号 | H01L33/62(2006.01)I;H01L33/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/62(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人 | 郑勇 |
| 主权项 | 一种形成发光器件的方法，所述方法包括：提供多层结构，所述多层结构依次包括衬底、第一导电类型的第一半导体层、有源层以及第二导电类型的第二半导体层，并且具有至少一个金属接触层，所述至少一个金属接触层形成在第一半导体层和第二半导体层两者中的至少一个上，在所述至少一个金属接触层上方形成至少一个沟槽；以及在至少一个沟槽中形成至少一个金属支撑物。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||