| 发明名称 | 用于形成功能单元的紧凑阵列的技术 | ||
| 摘要 | 公开了用于使用下一代光刻(NGL)工艺，例如使用电子束直接写入(EBDW)和极紫外光刻(EUVL)形成阵列中的单元的边界来形成功能单元的紧凑阵列的技术。单元的紧凑阵列可以用于被配置有逻辑单元的现场可编程门阵列(FPGA)结构、被配置有位单元的静态随机存取存储器(SRAM)结构、或具有基于单元的结构的其它存储器或逻辑器件。技术可以用于例如针对功能单元阵列得到百分之10到50的面积减小，这是因为与常规193nm光刻相比，NGL工艺允许单元边界的较高精度和较近的切口。此外，使用NGL工艺形成单元的边界还可以减少在其它情况下利用常规193nm光刻将呈现的光刻引起的变化。 | ||
| 申请公布号 | CN106463354A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201480079231.4 | 申请日期 | 2014.06.25 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | R·T·埃尔赛义德;N·戈埃尔;S·E·布-加扎利;R·J·阿克萨米特 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 林金朝;王英 |
| 主权项 | 一种集成电路，包括：衬底；以及形成在所述衬底上的功能单元的阵列，每个单元具有边界；其中，所述阵列中的两个相邻单元的边界之间的距离小于50nm。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||