衬底处理装置、半导体器件的制造方法及气化装置

摘要

本发明提供一种衬底处理装置，具有：处理衬底的反应室；气化装置，其具有被供给包含过氧化氢或过氧化氢和水的处理液的气化容器、向所述气化容器供给处理液的处理液供给部和加热所述气化容器的加热部；气体供给部，将由该气化装置生成的处理气体供给到所述反应室；排气部，对所述反应室内的环境气体进行排气；所述控制部，控制所述加热部和所述处理液供给部，以使得在所述加热部加热所述气化容器的同时所述处理液供给部向所述气化容器供给处理液。

主权项

一种衬底处理装置，其特征在于，具有：反应室，对衬底进行处理；气化装置，其具有气化容器、处理液供给部和加热部，所述处理液供给部将包含过氧化氢或过氧化氢和水的处理液供给到所述气化容器，所述气化容器由内部部件和外部部件构成，所述内部部件由硅氧化物形成，构成与所述处理液接触的所述气化容器的内侧的面，所述外部部件由铝或不锈钢中的任意一方或它们的混合物形成，以包围所述内部部件的外侧的方式设置，所述加热部直接加热所述外部部件，通过已被加热的所述外部部件传导的热加热所述内部部件；气体供给部，将由该气化装置生成的含有过氧化氢的处理气体供给到所述反应室；排气部，对所述反应室内的环境气体进行排气；和控制部，控制所述加热部和所述处理液供给部，以使得在所述加热部加热所述内部部件的同时所述处理液供给部向所述气化容器供给所述处理液。