一种透明衬底的四元发光二极管及其制备方法

摘要

本发明提供一种透明衬底的四元发光二极管，包括AlGaInP‑LED外延片，将所述AlGaInP‑LED外延片的GaP层的表面进行粗化并将其作为键合面，在键合面上镀薄膜，然后将薄膜与透明衬底进行键合，最后去除GaAs衬底。本发明提出透明键合技术，可将透明基板以衬底转移技术取代吸光材质的GaAs衬底，增加LED芯片的出光率，避免了传统AlGaInP‑LED由于受材料本身和衬底的局限，导致外量子效率极低等问题；另外搭配切割道预先蚀刻的技术，避免外延层于切割过程回融或溅出，可增加发光效率并避免漏电风险。

主权项

一种透明衬底的四元发光二极管的制备方法，其特征在于：所述四元发光二级管，包括AlGaInP‑LED外延片，将所述AlGaInP‑LED外延片的GaP层的表面进行粗化并将其作为键合面，在键合面上镀薄膜，然后将薄膜与透明衬底进行键合，最后去除GaAs衬底；其制备包括如下步骤，1)、将AlGaInP‑LED外延片的GaP层的表面进行粗化，并将其作为键合面，然后在键合面上镀薄膜；2)、对步骤1)中的键合面上的薄膜层的表面进行平坦化作业，薄膜表面的平坦度粗糙值要求至Ra<1nm，得到平坦化的LED片；3)、准备欲键合的透明衬底，将步骤2)得到的平坦化的LED片与透明衬底清洗干净后，放置于活化剂中，并搅拌5～10分钟，然后取出活化完成后的LED片与透明衬底；4)、将步骤3)中的活化完成后的LED片与透明衬底进行键结，再经过高温高压进行键合，得到键合后的半成品；5)、去除步骤4)中的半成品中的GaAs衬底，即完成LED片转换成透明衬底，得到具有透明衬底的LED片。