半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，包括：在第一鳍部的源区和漏区形成半导体层，半导体层覆盖第一鳍部的顶部表面、和部分侧壁表面，且半导体层具有凸起的第一棱角和第二棱角，第一棱角位于第一鳍部的顶部表面，第二棱角位于第一鳍部的侧壁表面；在基底、第一鳍部和半导体层表面形成阻挡层，阻挡层填充于相邻第二棱角之间的空间，使相邻的第二棱角之间由阻挡层连接；在阻挡层表面形成介质层，介质层内的第一开口暴露出至少两个相邻的第一棱角表面的阻挡层，且第一开口的侧壁与阻挡层相接触的位置高于第二棱角的水平位置；刻蚀第一开口底部的阻挡层直至暴露出半导体层表面为止，在第一开口内的半导体层表面形成第一导电层。所形成的半导体器件性能提高。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有第一区域，所述基底的第一区域表面具有若干第一鳍部、以及横跨所述第一鳍部的侧壁和顶部表面的第一栅极结构，其中，所述若干第一鳍部中至少两个第一鳍部相邻；在所述第一栅极结构两侧的第一鳍部内形成源区和漏区；在第一鳍部的源区和漏区形成半导体层，所述半导体层覆盖第一鳍部的顶部表面、和部分侧壁表面，且所述半导体层具有凸起的第一棱角和第二棱角，所述第一棱角位于第一鳍部的顶部表面，所述第二棱角位于第一鳍部的侧壁表面；在基底、第一鳍部和半导体层表面形成阻挡层，所述阻挡层填充于相邻第二棱角之间的空间，使相邻的第二棱角之间由所述阻挡层物理连接；在所述阻挡层表面形成介质层，所述介质层内具有第一开口，所述第一开口暴露出至少两个相邻的第一棱角表面的阻挡层，且所述第一开口的侧壁与阻挡层相接触的位置高于第二棱角的水平位置；刻蚀第一开口底部的阻挡层直至暴露出半导体层表面为止；在刻蚀所述阻挡层之后，在所述第一开口内的半导体层表面形成第一导电层。