一种提高外延晶体质量的LED 生长方法

摘要

本申请公开一种提高外延晶体质量的LED生长方法，依次包括：处理衬底、生长N型GaN层、周期性生长有缘层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层，降温冷却。处理衬底进一步为：在蓝宝石衬底表面上溅射A1N薄膜；将溅射好A1N薄膜的蓝宝石衬底放入反应腔，在A1N层上面持续生长Si_xAl_(1‑x)N层。本发明利用SiAlN材料和AlN材料来减少晶格失配产生的位错，降低外延层位错密度，有效提高了外延层晶体质量，从而使得LED产品质量得到提升。

主权项

一种提高外延晶体质量的LED生长方法，依次包括：处理衬底、生长掺杂Si的N型GaN层、周期性生长有缘层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其特征在于，所述处理衬底，进一步为：利用直流磁控反应溅射设备将蓝宝石衬底温度加热到650℃左右，通入50sccm‑70sccm的Ar、80sccm‑100sccm的N₂、以及2sccm‑3sccm的O₂，用2000V‑3000V的偏压冲击铝靶在蓝宝石衬底表面上溅射50nm‑60nm厚的A1N薄膜；将溅射好A1N薄膜的蓝宝石衬底放入MOCVD反应腔，升高温度至1000℃‑1100℃，反应腔压力维持在200mbar‑300mbar，通入100L/min‑130L/min的H₂、100L/min‑120L/min的NH₃、100sccm‑200sccm的TMAl源、10‑20sccm的SiH₄，持续生长5μm‑7μm的Si_xAl_(1‑x)N层，x＝0‑1。