半导体异质结构光电子器件的逻辑应用方法

摘要

一种半导体异质结光电子器件的逻辑应用方法。该器件主要基于纳米半导体材料的物理特性，通过场效应晶体管的结构设计，实现栅极电压对源漏沟道光电转换性能的逻辑调控，从而具有逻辑光电子的性能。该器件主要结构和功能如下：(1)具有场效应晶体管的类似结构；(2)组成沟道层的材料为半导体异质结材料；(3)半导体异质结中包括至少一种双极性半导体，该种半导体的载流子类型(p型或n型)可以通过栅极调控；(4)通过这种设计，可以通过栅极调控半导体异质结形成pn结与非pn结。通过利用不同异质结的光电转换性能，实现栅极电压对沟道层不同光电转换性能状态之间的调控，使光电子器件具有逻辑功能。

主权项

一种光电子器件的逻辑应用方法，其特征在于，设计的结构依次为，包括源极；包括漏极；包括沟道层，沟道层为半导体异质结；包括电介质层；包括栅极；通过在所述栅极输入不同的电压，获得所述半导体异质结沟道层在pn结与非pn结两者之间的转变，使得所述沟道层在一种光电转换状态(定义为1)与另外一种光电转换状态(定义为0态)之间跳变，从而实现栅极电压对沟道层的光电子性能逻辑调控。