发明名称 |
一种利用MgZnO薄膜制作CIGS薄膜太阳能电池的方法 |
摘要 |
一种利用MgZnO薄膜材制作CIGS薄膜太阳能电池的方法,该方法包含:步骤1,在钠钙玻璃上制备Mo层;步骤2,在Mo层上制备CIGS层;步骤3,在CIGS上制备CdS层;步骤4,在CdS层上制备MgZnO薄膜层;步骤5,对制备好的MgZnO薄膜进行退火处理;步骤6,在MgZnO层上制备掺铝氧化锌(AZO)层,构成CIGS薄膜太阳能电池器件。本发明所述MgZnO薄膜材料是指采用磁控溅射方法制备MgZnO薄膜层作为CIGS电池的高阻层,与传统的ZnO高阻层相比,本发明可以有效地增大对蓝光的吸收,增加光谱响应范围,提高CIGS薄膜太阳能电池的开路电压,提升电池效率。 |
申请公布号 |
CN106449875A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201610884016.2 |
申请日期 |
2016.10.10 |
申请人 |
北京四方创能光电科技有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司 |
发明人 |
张宁;余新平;赵莉;张亚飞;陈玉峰;李俊林 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京金阙华进专利事务所(普通合伙) 11224 |
代理人 |
吴鸿维 |
主权项 |
一种利用MgZnO薄膜制作CIGS薄膜太阳能电池的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤一、在钠钙玻璃基底上沉积背电极钼Mo层;步骤二、在Mo层上制备CIGS薄膜层作为光吸收层;步骤三、在CIGS上制备硫化镉CdS层;步骤四、在硫化镉CdS层上制备掺镁氧化锌层即MgZnO薄膜;步骤五、对步骤四中制备的MgZnO薄膜进行退火处理。步骤六、在MgZnO薄膜层上制备掺铝氧化锌AZO层,构成如SLG/Mo/CIGS/CdS/MgZnO/AZO的CIGS电池器件结构。 |
地址 |
100085 北京市海淀区上地四街9号四方大厦 |