一种新型具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT及其制备方法

摘要

本发明公开了一种新型具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT及其制备方法，包括：步骤1，在IGBT器件主体进行P‑base区和N型增强区注入；步骤2，对IGBT器件主体进行沟槽刻蚀之后，沉积栅氧化层；步骤3，在栅氧化层上沉积N型掺杂的多晶硅层；步骤4，在N型掺杂的多晶硅层上沉积P型掺杂的多晶硅层，P型掺杂的多晶硅层将沟槽填满；步骤5，在P型掺杂的多晶硅层上生长多晶硅氧化层；步骤6，对完成多晶硅氧化层生长的IGBT器件主体进行源极注入，形成源极区；步骤7，对形成源极区的IGBT器件主体进行钝化层淀积与刻蚀，形成栅电极和阴极接触区。通过在栅极的沟槽内设置内嵌二极管，增大从阳极经栅极流出电流通道的电阻，遏制栅极寄生电容对开关速度的影响。

主权项

一种新型具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT的制备方法，其特征在于，包括：步骤1，在IGBT器件主体进行P‑base区和N型增强区注入；步骤2，对所述IGBT器件主体进行沟槽刻蚀之后，沉积栅氧化层；步骤3，在所述栅氧化层上沉积N型掺杂的多晶硅层；步骤4，在所述N型掺杂的多晶硅层上沉积P型掺杂的多晶硅层，所述P型掺杂的多晶硅层将所述沟槽填满；步骤5，在所述P型掺杂的多晶硅层上生长多晶硅氧化层；步骤6，对完成所述多晶硅氧化层生长的所述IGBT器件主体进行源极注入，形成源极区；步骤7，对形成所述源极区的所述IGBT器件主体进行钝化层淀积与刻蚀，形成栅电极和阴极接触区。