低接触电阻型GaN基器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种低接触电阻型GaN基器件及其制作方法，主要解决现有器件源漏接触电阻、栅漏寄生电容过高的问题。其器件自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、第二沟道区(4)、背势垒层(5)、第一沟道区(6)、插入层(7)、AlGaN/InAlN势垒层(8)和GaN帽层(9)，GaN帽层上设有源电极(10)、漏电极(11)和刻蚀深度至背势垒层的凹槽，凹槽的内壁和GaN帽层除源漏电极外的区域设有钝化层(12)，凹槽内的钝化层上设有栅电极(13)。本发明降低了欧姆接触电阻，增加了栅漏间距，减小了栅漏反馈电容，提高了器件的工作频率，可用于通讯、卫星导航、雷达系统和基站系统中。

主权项

低接触电阻型GaN基器件，自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、第二沟道区(4)、背势垒层(5)、第一沟道区(6)、插入层(7)、AlGaN/InAlN势垒层(8)和GaN帽层(9)，GaN帽层(9)上设有源电极(10)和漏电极(11)，其特征在于：GaN帽层(9)上刻蚀有深度至背势垒层(5)的凹槽，凹槽的内壁和GaN帽层除源电极和漏电极外的区域设有钝化层(12)，凹槽内的钝化层上设有栅电极(13)，形成下探式栅极结构。