| 发明名称 | 一种GaN薄膜材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种第三代宽禁带半导体材料制备技术，特别涉及一种GaN薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：在衬底上形成多孔结构，孔洞内漏出衬底，孔洞表面为不能成核生长的钝化层；在孔洞内依次生长低温GaN成核层、中温GaN缓冲层以及高温GaN层，直到填平孔洞；在孔洞外继续生长高温GaN层形成直径不断增加的GaN纳米柱阵列，直到GaN纳米柱阵列合并到一起。继续生长合并到一起的GaN纳米柱阵列，形成GaN薄膜材料。本发明方法制备的GaN薄膜材料晶体质量高，并且制备方法可控性强。 | ||
| 申请公布号 | CN106435720A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610841056.9 | 申请日期 | 2016.09.22 |
| 申请人 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 发明人 | 王文庆 |
| 分类号 | C30B25/18(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 连平 |
| 主权项 | 一种GaN薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在衬底上形成多孔结构，孔洞内漏出衬底，孔洞表面为不能成核生长的钝化层；(2)在孔洞内依次生长低温GaN成核层、中温GaN缓冲层以及高温GaN层，直到填平孔洞；(3)在孔洞外继续生长高温GaN层形成直径不断增加的GaN纳米柱阵列，直到GaN纳米柱阵列合并到一起；(4)继续生长合并到一起的GaN纳米柱阵列，形成GaN薄膜材料。 | ||
| 地址 | 523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业工发区生产力大厦406 | ||