发明名称 |
借助于电子束的层上单向金属 |
摘要 |
说明了适合于互补性电子束光刻(CEBL)的光刻装置以及涉及互补性电子束光刻的方法。在示例中,一种用于集成电路的金属化层的布局,包括具有多条单向线的第一区域,该第一区域的多条单向线具有第一宽度和第一间距并且与第一方向平行。布局还包括具有多条单向线的第二区域,该第二区域的多条单向线具有第二宽度和第二间距并且与第一方向平行,第二宽度和第二间距分别与第一宽度和第一间距不同。布局还包括具有多条单向线的第三区域,该第三区域的多条单向线具有第三宽度和第三间距并且与第一方向平行,第三宽度与第一宽度和第二宽度不同,并且第三间距与第一和间距第二间距不同。 |
申请公布号 |
CN106463352A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201480078816.4 |
申请日期 |
2014.12.19 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
D·W·纳尔逊;Y·A·波罗多维斯基;M·C·菲利普斯 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈松涛;韩宏 |
主权项 |
一种用于集成电路的金属化层的布局,所述布局包括:具有多条单向线的第一区域,所述第一区域的所述多条单向线具有第一宽度和第一间距并且与第一方向平行;具有多条单向线的第二区域,所述第二区域的所述多条单向线具有第二宽度和第二间距并且与所述第一方向平行,所述第二宽度和所述第二间距分别与所述第一宽度和所述第一间距不同;以及具有多条单向线的第三区域,所述第三区域的所述多条单向线具有第三宽度和第三间距并且与所述第一方向平行,所述第三宽度与所述第一宽度和所述第二宽度不同,并且所述第三间距与所述第一间距和所述第二间距不同。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |