| 发明名称 | 干法刻蚀掩膜层而不氧化存储单元和源线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的各种实施例涉及在去除掩膜层(106)之前钝化金属线(300，301，302，310)例如CBRAM的存储单元和金属线以防止金属线的氧化的方法。所述方法包括暴露金属线(如铜)以及使金属线与基于氟的刻蚀剂反应从而形成由CuFx构成的保护膜(400)。 | ||
| 申请公布号 | CN106463345A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201580026524.0 | 申请日期 | 2015.04.28 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | K·阿克塔尔;A·杜塔;A·J·施里恩斯基;S·J·特拉普 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;C23C8/04(2006.01)I;C23C8/08(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王莉莉 |
| 主权项 | 一种用于制造存储单元的方法，所述方法包括：在剥露掩膜层之前对单元结构和源线执行钝化步骤以防止所述单元结构和源线的氧化。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||