MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

摘要

제1 주면에 반도체층이 형성된 질화 알루미늄 기판(1)을 챔버(51) 내에 설치하는 설치 공정과, 챔버(51) 내에 물(HO) 분자를 도입한 상태에서 그 챔버(51) 내를 가열하고, 질화 알루미늄 기판(1)의 제1 주면의 반대측에 위치하는 제2 주면(1b) 상에, 아몰퍼스 산화막을 포함하는 산화막을 형성하는 산화막 형성 공정을 구비한다.