| 发明名称 | GaN基T形源场板功率器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种GaN基T形源场板功率器件及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、绝缘介质层(7)、钝化层(9)和保护层(12)，源极(4)与漏极(5)淀积在势垒层上，台面(6)制作在势垒层的侧面，栅极(8)淀积在绝缘介质层上，钝化层内刻有凹槽(10)，T形源场板(11)淀积在钝化层与保护层之间，T形源场板下端完全填充凹槽(10)，且T形源场板(11)与源极(4)电气连接。本发明具有工艺简单、击穿电压高、可靠性高与成品率高的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN104409482B | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201410659909.8 | 申请日期 | 2014.11.18 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 毛维;陈园园;杨;石朋毫;边照科;郝跃 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人 | 王品华;朱红星 |
| 主权项 | 一种GaN基T形源场板功率器件，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、绝缘介质层(7)、钝化层(9)和保护层(12)，势垒层(3)的上面淀积有源极(4)与漏极(5)，势垒层(3)的侧面刻有台面(6)，且台面的深度大于势垒层的厚度，绝缘介质层(7)上面淀积有栅极(8)，钝化层(9)内刻有凹槽(10)，钝化层(9)与保护层(12)之间淀积有T形源场板(11)，该T形源场板与源极(4)电气连接，且下端完全填充在凹槽(10)内，其特征在于：凹槽(10)靠近栅极一侧边缘与栅极(8)靠近漏极一侧边缘之间的距离a为s×(d+e×ε<sub>2</sub>/ε<sub>1</sub>)<sup>0.5</sup>，其中s为凹槽深度，d为凹槽底部与绝缘介质层之间的距离，e为绝缘介质层的厚度，ε<sub>2</sub>为钝化层的相对介电常数，ε<sub>1</sub>为绝缘介质层的相对介电常数；凹槽(10)靠近漏极一侧边缘与T形源场板靠近漏极一侧边缘之间的距离c为0.66～8.3μm。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||