用于分离外延层与生长基板的方法及使用其的半导体器件

摘要

本发明涉及一种用于将外延层与生长基板分离的方法，并涉及一种使用该方法的半导体器件。根据本发明，提供了包括支撑基底和设置在支撑基底上的多个半导体层的半导体器件，其中，半导体层的最上层的表面具有不均匀的粗糙度。

主权项

一种将生长基板与外延层分离的方法，包括如下步骤：准备生长基板；在生长基板的一个表面上形成包括多个凸部和多个凹部的凹凸图案；在凹凸图案的凸部上外延地生长牺牲层；通过对牺牲层执行电化学蚀刻来形成多个细孔；在牺牲层上外延地生长多个半导体层；将支撑基板附着到半导体层；以及分离生长基板，其中，在牺牲层上外延地生长多个半导体层之后，通过合并牺牲层内的细孔或使其生长来形成多个空隙。