垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法

摘要

本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法，包括以下步骤：对晶体管施加测试电压并向所述晶体管的漏极注入取样电流，得到所述晶体管漏极和源极之间的第一电压；改为注入测试电流，在给定的测试时间下，对所述晶体管加热；然后再改为注入所述取样电流，得到所述晶体管漏极和源极之间的第二电压；将所述第一电压与所述第二电压做差，根据所述第一电压与所述第二电压的差值计算出所述晶体管的热阻。通过测量VDMOSFET在工作状态下漏极和源极之间的电压变化量，来对VDMOSFET的性能进行衡量和评估。所述测试方法既可以满足使用要求，又可以更全面有效地VDMOSFET的整体性能进行评测和判定。

主权项

一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：对晶体管施加测试电压并向所述晶体管的漏极注入取样电流，得到所述晶体管漏极和源极之间的第一电压；改为注入测试电流，在给定的测试时间下，对所述晶体管加热；改为注入所述取样电流，得到所述晶体管漏极和源极之间的第二电压；将所述第一电压与所述第二电压做差，根据所述第一电压与所述第二电压的差值计算出所述晶体管的热阻；判断所述第一电压与第二电压的差值是否在40毫伏‑120毫伏之间，若是，则所述晶体管测试合格，否则不合格。