半导体结构及形成方法、PMOS晶体管及形成方法

摘要

一种半导体结构及形成方法、PMOS晶体管及形成方法。其中半导体结构的形成方法，包括如下步骤：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底依次包括硅基底、绝缘埋层和顶层硅；刻蚀所述顶层硅至露出绝缘埋层，形成有源区；在有源区的顶层硅侧壁及顶部形成绝缘氧化层；进行热氧化处理，使顶层硅向上弯曲。本发明还提供了半导体结构以及在所述半导体结构形成PMOS晶体管结构以及形成方法。本发明旨在对PMOS管器件区域内的顶层硅进行热氧化处理，使得顶层硅边缘向上弯曲，从而增强了顶层硅的压缩应力，提高了后续制作PMOS器件的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底依次包括硅基底、绝缘埋层和顶层硅；刻蚀所述顶层硅至露出绝缘埋层，形成有源区；采用快速热氧化处理工艺在有源区的顶层硅侧壁及顶部形成绝缘氧化层；进行热氧化处理，并在所述绝缘氧化层的压力作用下，使顶层硅边缘向上弯曲。