| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 半导体装置(1)具备：第一沟槽(611)，其被形成在半导体基板(10)表面上；第二沟槽(612)，其被形成在半导体基板(10)的表面上，并且在对半导体基板(10)的表面进行俯视观察时，在与第一沟槽(611)不同的方向上延伸且与第一沟槽(611)相交。此外，半导体装置(1)具备：栅极绝缘膜(62)，其覆盖第一沟槽(611)与第二沟槽(612)的内表面以及交叉部(30)的内表面(301)；栅电极(63)，其被形成在第一沟槽(611)与所述第二沟槽(612)内，并且隔着栅极绝缘膜(62)而与半导体基板(10)对置。此外，半导体装置(1)具备n型发射区(24)，其被形成在半导体基板(10)内，且在半导体基板(10)的表面上露出，并与第一沟槽(611)内的栅极绝缘膜(62)相接，并且与形成在第一沟槽(611)和第二沟槽(612)的交叉部(30)的内表面(301)上的栅极绝缘膜(62)不相接。 | ||
| 申请公布号 | CN106463542A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201580027849.0 | 申请日期 | 2015.03.27 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 西胁克彦 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 黄威;苏萌萌 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备：第一沟槽，其被形成在半导体基板的表面上；第二沟槽，其被形成在所述表面上，并且在对所述表面进行俯视观察时在与所述第一沟槽不同的方向上延伸且与第一沟槽相交；栅极绝缘膜，其覆盖所述第一沟槽与所述第二沟槽的内表面、以及所述第一沟槽与所述第二沟槽的交叉部的内表面；栅电极，其被形成在所述第一沟槽与所述第二沟槽内，并且隔着栅极绝缘膜而与所述半导体基板对置；第一导电型的第一半导体区域，其被形成在所述半导体基板内，且在所述表面上露出，并与所述第一沟槽内的所述栅极绝缘膜相接，并且与覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽的交叉部的内表面的所述栅极绝缘膜不相接；第二导电型的第二半导体区域，其被形成在所述半导体基板内，并与和所述第一半导体区域相比靠较深侧的所述第一沟槽内的所述栅极绝缘膜相接；第一导电型的第三半导体区域，其被形成在所述半导体基板内，并与和所述第二半导体区域相比靠较深侧的所述第一沟槽内的所述栅极绝缘膜相接，并且通过所述第二半导体区域而与所述第一半导体区域分离。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||