| 发明名称 | 场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 场效应晶体管(GaN类HFET)包括：栅极电极(13)；栅极电极焊盘(16)；连接栅极电极(13)的一端部与栅极电极焊盘(16)的第一配线(22)；连接栅极电极(13)的另一端部与栅极电极焊盘(16)的第二配线(23)；和与第一配线(22)连接，能够调节第一配线(22)的阻抗的电阻元件(17)。 | ||
| 申请公布号 | CN106463411A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201580025928.8 | 申请日期 | 2015.02.20 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 铃木贵光;矶部雅哉;久保胜 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;徐飞跃 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，其特征在于，包括：具有异质结的GaN类层叠体(5)；以在第一方向上延伸的方式形成在所述GaN类层叠体(5)上的漏极电极(11)；源极电极(12)，其以在所述第一方向上延伸的方式形成在所述GaN类层叠体(5)上，并且形成为在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述漏极电极(11)隔开预定的间隔；俯视时形成在所述漏极电极(11)与所述源极电极(12)之间的栅极电极(13)；在所述GaN类层叠体(5)上以覆盖所述栅极电极(13)的方式形成的绝缘层(8)；形成在所述绝缘层(8)上的栅极电极焊盘(16)；连接所述栅极电极(13)的一端部与所述栅极电极焊盘(16)的第一配线(22、222、322)；连接所述栅极电极(13)的另一端部与所述栅极电极焊盘(16)的第二配线(23、223、323)；和能够调节所述第一配线(22、222、322)和所述第二配线(23、223、323)中的至少一个配线的阻抗的阻抗调节部(17、217、317)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||