发明名称 |
具有混合型异质结构的图像传感器 |
摘要 |
一种图像传感器结构提供了超过100dB的SNR,而不需要使用机械快门。用于有效像素传感器阵列的电路部件被分离并且被垂直地布置在混合芯片结构中的至少两个不同层中。顶层优选地使用低噪声PMOS制造工艺制造,并且包括用于每个像素的光电二极管和放大器电路。底层优选地使用标准CMOS工艺来制造,并且包括NMOS像素电路部件和信号处理所需的任何数字电路。与使用CMOS相比,通过在为形成低噪声像素优化的PMOS工艺中形成顶层,像素性能可以被大大地改善。 |
申请公布号 |
CN106454163A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201610809123.9 |
申请日期 |
2012.02.29 |
申请人 |
阿尔塔传感器公司 |
发明人 |
L.科斯洛夫斯基 |
分类号 |
H04N5/374(2011.01)I;H04N5/359(2011.01)I;H04N5/378(2011.01)I |
主分类号 |
H04N5/374(2011.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
毕铮;刘春元 |
主权项 |
一种图像传感器,包括:包括像素元件阵列的第一CMOS电路层;每个像素元件包括:光电二极管;和放大器;和第一模数转换器(ADC)电路部分;第二CMOS层,包括:支持像素电路,包括全局快门采样和保持电路的;和第二模数转换器(ADC)电路部分,其连接到第一CMOS层中的对应的第一ADC电路部分;和在所述第一CMOS层和所述第二CMOS层之间形成的阻挡层。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |