| 发明名称 | 一种解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法，包括：第一步骤：在二氧化硅覆盖层上形成金属氮化钛掩模的工艺之后检测到埋入型颗粒缺陷；第二步骤：通过刻蚀去除金属氮化钛掩模；第三步骤：使得二氧化硅覆盖层平坦化；第四步骤：对平坦化的二氧化硅覆盖层进行二氧化硅生长，使得平坦化的二氧化硅覆盖层的厚度达到目标厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN106449365A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610985518.4 | 申请日期 | 2016.11.09 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 谢素兰;李健;许隽 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法，其特征在于包括：第一步骤：在二氧化硅覆盖层上形成金属氮化钛掩模的工艺之后检测到埋入型颗粒缺陷；第二步骤：通过刻蚀去除金属氮化钛掩模；第三步骤：使得二氧化硅覆盖层平坦化；第四步骤：对平坦化的二氧化硅覆盖层进行二氧化硅生长，使得平坦化的二氧化硅覆盖层的厚度达到目标厚度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||