发明名称 一种延长刻蚀腔体开腔保养时间间隔的保养方法
摘要 本发明公开了一种延长刻蚀腔体开腔保养时间间隔的保养方法,在刻蚀腔体闭合状态下去除腔体内堆积的聚合物,所述方法包括:使用低压大流量大功率气体和高压小流量大功率的各向同性等离子刻蚀分别去除腔体下部和内部边角的聚合物,然后通过大流量气体抽放的动作和后续的抽空将腔体内由于刻蚀反应产生的以及悬浮的颗粒排出腔体。定期对腔体采用上述的等离子清洗工艺,可以保证刻蚀腔体内部聚合物堆积量处于较低水平,有效控制颗粒的产生,降低由于颗粒产生的产品缺陷,明显延长开腔保养的时间间隔,实现进一步提高产能,降低制造成本的最终目的。
申请公布号 CN106449345A 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201610983032.7 申请日期 2016.11.09
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 吴智勇;聂钰节;唐在峰;任昱;吕煜坤
分类号 H01J37/32(2006.01)I 主分类号 H01J37/32(2006.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华;陈慧弘
主权项 一种延长刻蚀腔体开腔保养时间间隔的保养方法,在刻蚀腔体闭合状态下去除腔体内堆积的聚合物,所述方法步骤如下:步骤01:清除腔体下部深层次聚合物;步骤02:关闭射频,通入气体抽放腔体;步骤03:关闭气源,直接进行腔体抽空;步骤04:清除腔体内部边角处的聚合物;步骤05:关闭射频,通入气体抽放腔体;步骤06:关闭气源,直接进行腔体抽空;循环上述的所有步骤,并按聚合物堆积程度调整步骤次序。
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