| 发明名称 | 具有应力去耦结构的MEMS构件和具有这种MEMS构件的元器件 | ||
| 摘要 | 本发明提出措施，该措施以简单的方式并且可靠地促进MEMS功能元件与MEMS构件结构机械去耦。所述MEMS构件(110)包括至少一个可偏转的功能元件(14)，该功能元件以层结构(12)在MEMS衬底(11)上实现，由此在层结构(12)与MEMS衬底(11)之间至少在功能元件(14)区域中产生中间空间(15)。根据本发明，在MEMS衬底(11)中以盲孔式的沟道结构(171)的形式构造应力去耦结构(17)，该沟道结构向着层结构(12)与MEMS衬底(11)之间的中间空间(15)敞开并且向MEMS衬底(11)中只延伸到预给定深度，使得MEMS衬底(11)至少在沟道结构(171)区域中在背面封闭。 | ||
| 申请公布号 | CN106458570A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201580029425.8 | 申请日期 | 2015.05.29 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | J·克拉森;J·赖因穆特;M·哈塔斯;R·赖兴巴赫;A·皮格勒尼耶 |
| 分类号 | B81B7/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 侯鸣慧 |
| 主权项 | MEMS构件(110)，具有至少一个可偏转的功能元件(14)，该功能元件以层结构(12)在MEMS衬底(11)上实现，使得在所述层结构(12)与所述MEMS衬底(11)之间至少在所述功能元件(14)区域中产生中间空间(15)，所述MEMS构件还具有应力去耦结构(17)，该应力去耦结构在所述MEMS衬底(11)中构造，其特征在于，所述应力去耦结构(17)以盲孔式的沟道结构(171)的形式在所述MEMS衬底(11)中实现，该沟道结构向着所述层结构(12)与所述MEMS衬底(11)之间的中间空间(15)敞开并且向MEMS衬底(11)中只延伸到预给定深度，使得所述MEMS衬底(11)至少在沟道结构(171)区域中在背面封闭。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||