发明名称 现场可编程门阵列及其开关结构
摘要 本发明涉及一种现场可编程门阵列及其开关结构。所述现场可编程门阵列包括:分裂栅极存储器、可编程逻辑单元及所述可编程逻辑单元的布线结构;所述布线结构的交点上具备互连节点,所述分裂栅极存储器适于提供所述互连节点之间的互连关系。本发明技术方案能够使现场可编程门阵列的开关结构与其存储器一体化,从而降低成本,提高FPGA的可靠性。
申请公布号 CN103824594B 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201410086089.8 申请日期 2014.03.10
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 肖军
分类号 G11C16/06(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I 主分类号 G11C16/06(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种现场可编程门阵列,其特征在于,包括:分裂栅极存储器、可编程逻辑单元及所述可编程逻辑单元的布线结构;所述布线结构的交点上具备互连节点,所述分裂栅极存储器适于提供所述互连节点之间的互连关系;其中,所述分裂栅极存储器包括:第一分裂栅极存储阵列和第二分裂栅极存储阵列;所述第一分裂栅极存储阵列适于存储所述可编程逻辑单元的执行内容;所述第二分裂栅极存储阵列适于连接所述互连节点;所述互连节点包括具有互连关系的第一互连节点及第二互连节点;所述第二分裂栅极存储阵列包括第一分裂栅极存储位和第二分裂栅极存储位;所述分裂栅极存储位包括位线电极、控制栅极及源线电极;所述第一分裂栅极存储位的位线电极连接至所述第一互连节点,控制栅极连接至栅控电压,源线电极适于在所述第一互连节点与第二互连节点互连时连接至编程电压;所述第二分裂栅极存储位的位线电极连接至所述第二互连节点,控制栅极连接至所述栅控电压,源线电极适于在所述第一互连节点与第二互连节点互连时连接至所述编程电压。
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