| 发明名称 | 三维红外探测器像元结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种三维红外探测器像元结构及其制备方法，包括：硅衬底表面的导电金属区，位于硅衬底上方的红外探测结构，其用于探测红外光并产生电信号；以及与红外探测结构相电连的导电梁结构，其用于将红外探测结构产生的电信号传输到导电金属区；导电梁结构包括：竖直方向上排布的至少一层导电梁和多层导电沟槽；每一层导电梁的两端分别接触底部不在同一水平面的两层导电沟槽，红外探测结构与其中一层导电沟槽或其中一层导电梁相接触；导电金属区与其中另一层导电沟槽底部接触；红外探测结构产生的电信号沿着导电沟槽的高度方向和导电梁的水平方向传输，从而在竖直方向上呈迂回路径向下传输到导电金属区。 | ||
| 申请公布号 | CN106448972A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610605232.9 | 申请日期 | 2016.07.28 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 康晓旭 |
| 分类号 | H01C7/04(2006.01)I;H01C17/075(2006.01)I;H01C17/28(2006.01)I | 主分类号 | H01C7/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;尹英 |
| 主权项 | 一种红外探测器像元结构，位于一硅衬底上，包括：硅衬底表面的导电金属区，位于硅衬底上方的红外探测结构，其用于探测红外光并产生电信号；以及与红外探测结构相电连的导电梁结构，其用于将红外探测结构产生的电信号传输到导电金属区；其特征在于，导电梁结构包括：竖直方向上排布的至少一层导电梁和多层导电沟槽；其中，每一层导电梁的两端分别连接底部不在同一水平面的两层导电沟槽；红外探测结构与其中一层导电沟槽或其中一层导电梁相接触；导电金属区与其中另一层导电沟槽底部接触；所述红外探测结构产生的电信号沿着导电沟槽的高度方向和导电梁的水平方向传输，从而在竖直方向上呈迂回路径向下传输到导电金属区。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||