半导体装置

摘要

目的在于提供一种能够抑制与栅极焊盘的角部对置的单元中的雪崩击穿的技术。MOSFET具备配设于在俯视时与栅极焊盘(13)的角部对置的区域(41)的拐角单元(17)、以及配设于相对拐角单元(17)而与栅极焊盘(13)相反的一侧的区域的内部单元(14)。在拐角单元(17)的外轮廓形状中，最长的边和与该边对置的各边之间的各最短距离中的最长的距离为内部单元(14)的均等的一边或者短边的长度的2倍以下。

主权项

一种半导体装置，具备：栅极焊盘；第1单元，配设于在俯视时与所述栅极焊盘的角部对置的区域；以及第2单元，配设于在俯视时相对所述第1单元而与所述栅极焊盘相反的一侧的区域，所述第1单元以及第2单元分别具备：第1导电类型的半导体层；第2导电类型的基区，形成于所述半导体层的上部；栅极电极，隔着栅极绝缘膜而配设于贯通所述基区而到达所述基区下的所述半导体层的沟槽内，并且具有与所述第1单元以及第2单元的俯视时的外轮廓形状对应的图案，且所述栅极电极与所述栅极焊盘电连接；以及第2导电类型的保护扩散层，形成于所述沟槽的底部，所述第1单元以及第2单元中的至少所述第2单元还具备：第1导电类型的源极区域，形成于所述基区的上部中的与所述栅极绝缘膜邻接的部分；以及源极电极，与所述基区以及所述源极区域电连接，所述第1单元以及第2单元的所述外轮廓形状为四边形以上的多边形状，在所述第1单元的所述外轮廓形状中，最长的边和与该边对置的各边之间的各最短距离中的最长的距离为所述第2单元的均等的一边或者短边的长度的2倍以下。