发明名称 铁电场效晶体管、以行线和列线方式形成阵列的多个铁电场效晶体管以及形成多个铁电场效晶体管的方法
摘要 本发明揭示一种铁电场效晶体管,其包括半导电沟道,所述半导电沟道包括对置侧壁及高度上最外顶部。源极/漏极区域在所述沟道的对置末端处。所述晶体管的栅极构造包括沿着所述沟道顶部且横向沿着所述沟道侧壁延伸的内部电介质。内部导电材料高度上且横向从所述内部电介质向外且沿着所述沟道顶部且横向沿着所述沟道侧壁延伸。外部铁电材料高度上从所述内部导电材料向外且沿着所述沟道顶部延伸。外部导电材料高度上从所述外部铁电材料向外且沿着所述沟道延伸。揭示其它构造及方法。
申请公布号 CN106463510A 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201580021286.4 申请日期 2015.04.15
申请人 美光科技公司 发明人 杜赖·维沙克·尼马尔·拉马斯瓦米;柯尔克·D·普拉尔
分类号 H01L27/115(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 主分类号 H01L27/115(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 路勇
主权项 一种铁电场效晶体管,其包括:半导电沟道,其包括对置侧壁及高度上最外顶部;源极/漏极区域,其在所述沟道的对置末端处;及栅极构造,其包括:内部电介质,其沿着所述沟道顶部且横向沿着所述沟道侧壁延伸;内部导电材料,其高度上且横向从所述内部电介质向外且沿着所述沟道顶部且横向沿着所述沟道侧壁延伸;外部铁电材料,其高度上从所述内部导电材料向外且沿着所述沟道顶部延伸;及外部导电材料,其高度上从所述外部铁电材料向外且沿着所述沟道顶部延伸。
地址 美国爱达荷州