发明名称 |
电荷与数字混合累加型CMOS‑TDI图像传感器 |
摘要 |
本发明涉及模拟集成电路设计领域,为实现充分发挥电荷域无噪声累加,数字域累加芯片面积小、无累加上限的优点,同时又不对电荷域累加时的传输效率和满阱容量以及数字域累加时ADC的速度提出过高要求,本发明采用的技术方案是,电荷与数字混合累加型CMOS‑TDI图像传感器,由像素阵列、列并行ADC阵列、列并行数字域累加阵列、移位寄存器、时序控制模块构成,像素阵列大小为L列N行,像素阵列中N行像素分成K个子像素阵列,每个子像素阵列由M行像素和一个读出电路组成;每个子像素阵列各级之间采用电荷累加方式,K个子阵列之间采用数字累加方式,其中N=M×K。本发明主要应用于集成电路设计。 |
申请公布号 |
CN106454164A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201610970573.6 |
申请日期 |
2016.11.04 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
高静;黄蕊;聂凯明;徐江涛 |
分类号 |
H04N5/374(2011.01)I;H04N5/3745(2011.01)I;H04N5/378(2011.01)I |
主分类号 |
H04N5/374(2011.01)I |
代理机构 |
天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 |
代理人 |
刘国威 |
主权项 |
一种电荷与数字混合累加型CMOS‑TDI图像传感器,其特征是,由像素阵列、列并行ADC阵列、列并行数字域累加阵列、移位寄存器、时序控制模块构成,像素阵列大小为L列N行,像素阵列中N行像素分成K个子像素阵列,每个子像素阵列由M行像素和一个读出电路组成;每个子像素阵列各级之间采用电荷累加方式,K个子阵列之间采用数字累加方式,其中N=M×K;从像素阵列输出的模拟信号经列并行ADC阵列处理转成数字信号,列并行ADC阵列后连接数字域累加器,再由数字域累加器对相同曝光信号的数字码进行累加操作,累加后的信号由移位寄存器输出,时序控制模块负责产生控制各个模块的协调工作。 |
地址 |
300072 天津市南开区卫津路92号 |