发明名称 悬挂式红外探测器像元结构及其制备方法
摘要 本发明提供了一种悬挂式红外探测器像元结构及其制备方法,包括:硅衬底表面的导电金属区,红外探测结构以及与红外探测结构相电连的导电梁结构;导电梁结构具有顶层导电梁和多层导电沟槽;导电沟槽包括:底部与导电金属区接触且顶部位于导电梁结构最顶层的第一导电沟槽,以及底部高于第一导电沟槽底部且顶部位于导电梁结构最顶层的第二导电沟槽;第一导电沟槽的顶部和第二导电沟槽顶部分别与顶层导电梁两端连接;第二导电沟槽的底部与红外探测结构相接触;红外探测结构产生的电信号首先经第二导电沟槽底部传输到第二导电沟槽顶部,再经顶层导电梁传输到第一导电沟槽的顶部,再从第一导电沟槽顶部传输到第一导电沟槽底部进而传输到导电金属区。
申请公布号 CN106449852A 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201610602975.0 申请日期 2016.07.28
申请人 上海集成电路研发中心有限公司 发明人 康晓旭
分类号 H01L31/09(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 H01L31/09(2006.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华;尹英
主权项 一种红外探测器像元结构,位于一硅衬底上,包括:硅衬底表面的导电金属区,位于硅衬底上方的用于探测红外光并产生电信号的红外探测结构,以及与红外探测结构相电连的导电梁结构,用于将红外探测结构产生的电信号传输到导电金属区;其特征在于,导电梁结构包括:位于导电梁结构最顶层的顶层导电梁,以及多层导电沟槽;所述导电沟槽包括:底部与导电金属区接触且顶部位于导电梁结构最顶层的第一导电沟槽,以及底部高于第一导电沟槽底部且顶部位于导电梁结构最顶层的第二导电沟槽;其中,第一导电沟槽的顶部和第二导电沟槽顶部分别与顶层导电梁两端连接;第二导电沟槽的底部与红外探测结构的相连接;所述红外探测结构产生的电信号首先经第二导电沟槽底部传输到第二导电沟槽顶部,再经顶层导电梁传输到第一导电沟槽的顶部,然后从第一导电沟槽顶部传输到第一导电沟槽底部进而传输到导电金属区;再经导电金属区传输到互连层中。
地址 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号