基于SOI衬底的环栅抗辐照MOS场效应管

摘要

本发明公开了一种基于SOI衬底的环栅抗辐照MOS场效应管，其包括Si衬底(1)和位于Si衬底(1)内的埋氧层(2)，以及Si衬底(1)上的外延层(3)，外延层中部内设有漏区(5)，漏区外边界紧邻的外延层上方设有环形栅极(4)，环形栅极(4)内外两侧边缘下方的外延层内设有轻掺杂源漏区(7)，该轻掺杂源漏区之间的区域形成沟道；栅极外边缘紧邻的外延层内设有环形源极有源区(6)，环形源极有源区(6)外围紧邻的外延层内设有环形隔离槽(8)，形成依次包围在有源区外部的栅环、源环和隔离槽环这种环套结构。本发明抑制了阈值电压漂移、亚阈值摆幅退化，提高了器件抗总剂量辐照能力，可用于大规模集成电路的制备。

主权项

一种基于SOI衬底的环栅抗辐照MOS场效应管，包括Si衬底(1)，埋氧层(2)、Si外延层(3)和栅极，埋氧层(2)注入在硅衬底(1)内，特征在于：外延层(3)的中部内设有漏极有源区(5)，漏极有源区(5)外围紧邻的外延层上方设有多晶硅，形成环形栅极(4)；环形栅极(4)内外两侧边界下方的外延层内设有浓度为5×10¹⁷cm^‑3至5×10¹⁸cm^‑3的轻掺杂源漏区(7)，该轻掺杂源漏区之间的区域形成沟道；环形栅极(4)外围紧邻的外延层内设有环形源极有源区(6)，该源极有源区外围紧邻的外延层内设有环形隔离槽(8)，构成环形栅极‑环形源极有源区‑环形隔离槽的环套结构，以消除沟道与隔离槽界面处的寄生沟道，实现抗辐照加固。