| 发明名称 | CMP研磨剂及其制造方法、以及基板的研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种CMP研磨剂，包括研磨粒子、保护膜形成剂及水，所述CMP研磨剂的特征在于，所述保护膜形成剂是苯乙烯和丙烯腈的共聚物，所述共聚物的平均分子量是500以上且20000以下。据此，提供一种研磨剂及其制造方法、以及基板的研磨方法，其中，在CMP步骤中，能够在低研磨损伤的状态下研磨绝缘膜，进一步，绝缘膜相对于研磨停止膜具有高研磨选择性。 | ||
| 申请公布号 | CN106459732A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201580024264.3 | 申请日期 | 2015.03.26 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 高桥光人 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | C09K3/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 李英艳 |
| 主权项 | 一种CMP研磨剂，包括研磨粒子、保护膜形成剂及水，所述CMP研磨剂的特征在于，所述保护膜形成剂是苯乙烯和丙烯腈的共聚物，所述共聚物的平均分子量是500以上并且20000以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||