一种低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法。所使用靶材的组成及重量百分比为：Ni 45wt％，Cr 50wt％，Si 5wt％。溅射前对腔室抽真空至5×10^‑4Pa以下，通入氩气，调节工作气压在0.2～0.6Pa范围内，采用射频磁控溅射法淀积镍铬硅薄膜，射频功率控制在140～160W范围内，溅射的镍铬硅薄膜厚度控制在60‑80nm范围内。溅射完成后，在真空、惰性气体或氮气环境中对薄膜进行退火处理，退火温度控制在440～460℃范围内，退火时间控制在25～35分钟范围内。利用本发明所涉及的低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法制备的镍铬硅薄膜在0～125℃温度范围内的电阻温度系数小于±2ppm/℃。

主权项

一种低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：【a】将表面绝缘的衬底(1)放置于溅射室中，对溅射室抽真空至5.0×10^‑4Pa以下，充入高纯氩气，调节工作气压在0.2～0.6Pa范围内，调节射频功率在140～160W范围内，采用镍铬硅合金靶射频磁控溅射镍铬硅薄膜(3)；【b】在真空、惰性气体或氮气环境中对镍铬硅薄膜(3)进行退火处理，得到低电阻温度系数的镍铬硅薄膜。