| 发明名称 | 一种真空电子管封接材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种真空电子管封接材料的制备方法，具体步骤如下：(1)将Ag、Cu、In、Ge、Co、Ni按配比放入真空熔炼炉内，炉内抽真空至0.1～0.5Pa，再加热到1300～1350℃；(2)待各金属原料在真空熔炼炉内彻底熔化形成熔融液后，保持30～40分钟，然后将熔融液倒至定型模具内，自然冷却，得到加工本封接材料所需的铸锭；(3)将铸锭进行回火处理，在600～650℃保温2～3小时；(4)然后将铸锭进行轧机压延，经修整冲压成所需形状即可。本发明制备得到的封接材料清洁度高，防腐蚀、抗氧化性能好。 | ||
| 申请公布号 | CN106435245A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201611045037.1 | 申请日期 | 2016.11.24 |
| 申请人 | 无锡奔牛生物科技有限公司 | 发明人 | 唐珩 |
| 分类号 | C22C5/08(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;C22F1/14(2006.01)I | 主分类号 | C22C5/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人 | 冯智文 |
| 主权项 | 一种真空电子管封接材料的制备方法，其特征在于具体步骤如下：(1)将Ag、Cu、In、Ge、Co、Ni按配比放入真空熔炼炉内，炉内抽真空至0.1～0.5Pa，再加热到1300～1350℃；(2)待各金属原料在真空熔炼炉内彻底熔化形成熔融液后，保持30～40分钟，然后将熔融液倒至定型模具内，自然冷却，得到加工本封接材料所需的铸锭；(3)将铸锭进行回火处理，在600～650℃保温2～3小时；(4)然后将铸锭进行轧机压延，经修整冲压成所需形状即可；所述各金属原料的质量百分比为：Cu：15～20％、In：1～3％、Ge：0.5～2％、Co：1～2％、Ni：3～5％；其余为Ag和不可避免的杂质。 | ||
| 地址 | 214000 江苏省无锡市锡山区东北塘黄信桥南堍 | ||