| 发明名称 | QLED器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种QLED器件，包括依次设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和顶电极，其中，所述空穴传输层为量子点、空穴传输材料和/或绝缘材料形成的P型空穴传输层，所述电子传输层为量子点、电子传输材料和/或绝缘材料形成的n型电子传输层，所述空穴传输层和所述电子传输层在界面形成异质结结构。 | ||
| 申请公布号 | CN106450013A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610887773.5 | 申请日期 | 2016.10.11 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 向超宇;杨一行;曹蔚然;钱磊 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 黄志云 |
| 主权项 | 一种QLED器件，其特征在于，包括依次设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和顶电极，其中，所述空穴传输层为量子点、空穴传输材料和/或绝缘材料形成的P型空穴传输层，所述电子传输层为量子点、电子传输材料和/或绝缘材料形成的n型电子传输层，所述空穴传输层和所述电子传输层在界面形成异质结结构。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||