发明名称 |
一种垂直型半导体器件的双面终端结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种垂直型半导体器件的双面终端结构,所述垂直型半导体器件为双极型晶体管、晶闸管、MOSFET、IGBT、MOSFET派生器件、IGBT派生器件或晶闸管派生器件;所述双面终端结构包括元胞区、终端区、阴极、门极和阳极;所述终端区包括正面终端和背面终端;所述正面终端和背面终端环绕在所述元胞区周围,所述阴极和门极沉积在所述元胞区的正面,所述阳极沉积在所述元胞区的背面。本实用新型提供的垂直型半导体器件的双面终端结构,在传统的正面终端基础上增加了背面终端结构,形成了双面终端结构,在不增加终端面积的前提下,提高了终端的整体耐压能力,提高了终端结构的效率。 |
申请公布号 |
CN205984993U |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201620900426.7 |
申请日期 |
2016.08.18 |
申请人 |
全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司 |
发明人 |
温家良;崔磊;徐哲;金锐;王耀华;赵哿 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京安博达知识产权代理有限公司 11271 |
代理人 |
徐国文 |
主权项 |
一种垂直型半导体器件的双面终端结构,其特征在于,所述双面终端结构包括元胞区、终端区、阴极、门极和阳极;所述终端区包括正面终端和背面终端;所述正面终端和背面终端环绕在所述元胞区周围,所述阴极和门极沉积在所述元胞区的正面,所述阳极沉积在所述元胞区的背面。 |
地址 |
102209 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内 |