| 摘要 |
성막 장치를 사용하여, 상기 복수의 기판 상에, 제1 원소 및 제2 원소를 포함하는 도프 산화막을 성막하는 성막 방법이며, 상기 제1 가스 공급부로부터 상기 제1 원소를 포함하는 제1 반응 가스를 공급하고, 상기 제2 가스 공급부로부터 산화 가스를 공급하여, 상기 기판 상에 상기 제1 원소를 포함하는 산화막을 성막하는 성막 공정과, 상기 제1 가스 공급부 또는 상기 제2 가스 공급부 중 한쪽으로부터 상기 제2 원소를 포함하는 제2 반응 가스를 공급하고, 상기 제1 가스 공급부 또는 상기 제2 가스 공급부 중 다른 쪽으로부터 불활성 가스를 공급하여, 상기 산화막 상에 상기 제2 원소를 도프하는 도프 공정을 포함한다. |
