| 发明名称 | 用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻。本发明提供了使用沉积‑蚀刻‑沉积工艺将钨沉积到高深宽比的特征中的方法，该工艺整合了多种沉积技术与在蚀刻期间交替的表面改性的脉冲和去除的脉冲。 | ||
| 申请公布号 | CN106449360A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610643282.6 | 申请日期 | 2016.08.08 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 黎照健;克伦·雅各布斯·卡纳里克;萨曼莎·坦;阿南德·查德拉什卡;泰赫-婷·苏;杨文兵;迈克尔·伍德;迈克尔·达内克 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 李献忠;张静 |
| 主权项 | 一种填充衬底上的特征的方法，所述方法包括：(a)在特征内沉积第一数量的金属；以及(b)相对于所述特征的内部区域，通过以下操作定向地蚀刻在所述特征的开口处或附近的所述金属：(i)通过使所述金属暴露于含卤素的气体使所沉积的所述金属的表面改性；以及(ii)使经改性的所述表面暴露于活化气体以选择性地蚀刻所述金属。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||