发明名称 | 一种P管采样型自举绝热电路及四级反相器/缓冲器 | ||
摘要 | 本发明公开了一种P管采样型自举绝热电路及四级反相器/缓冲器,P管采样型自举绝热电路于包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管第三NMOS管和第四NMOS管,四级反相器/缓冲器包括四个P管采样型自举绝热电路;优点是电路结构简单,延时和功耗都得到了降低,P管采样型自举绝热电路的输出端和第一时钟端设置第一PMOS管和第二PMOS管作为P型采样管,使得能量得到充分回收,避免了因PMOS管阈值电压使得输出端不能完全回收到功率时钟去而引起能量损耗,功耗得到很大优化,由此,本发明的P管采样型自举绝热电路在不影响电路性能的基础上,延时、功耗和功耗延时积均较小。 | ||
申请公布号 | CN106452425A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
申请号 | CN201610836596.8 | 申请日期 | 2016.09.21 |
申请人 | 宁波大学 | 发明人 | 邬杨波;余峰;胡建平 |
分类号 | H03K19/0944(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/0944(2006.01)I |
代理机构 | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人 | 方小惠 |
主权项 | 一种P管采样型自举绝热电路,其特征在于包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管第三NMOS管和第四NMOS管;所述的第一PMOS管的源极、所述的第二PMOS管的源极、所述的第三NMOS管的漏极和所述的第四NMOS管的漏极连接且其连接端为所述的P管采样型自举绝热电路的第一时钟端,所述的第一PMOS管的漏极、所述的第二PMOS管的栅极、所述的第一NMOS管的漏极、所述的第三NMOS管的源极和所述的第三PMOS管的漏极连接且其连接端为所述的P管采样型自举绝热电路的输出端,所述的第一PMOS管的栅极、所述的第二PMOS管的漏极、所述的第二NMOS管的漏极、所述的第四NMOS管的源极和所述的第四PMOS管的漏极连接且其连接端为所述的P管采样型自举绝热电路的反相输出端,所述的第三PMOS管的源极和所述的第三NMOS管的栅极连接,所述的第三PMOS管的栅极和所述的第四PMOS管的栅极连接且其连接端为所述的P管采样型自举绝热电路的第二时钟端,所述的第四PMOS管的源极和所述的第四NMOS管的栅极连接,所述的第二NMOS管的栅极为所述的P管采样型自举绝热电路的输入端,所述的第一NMOS管的栅极为所述的P管采样型自举绝热电路的反相输入端,所述的第一NMOS管的源极和所述的第二NMOS管的源极接地,所述的P管采样型自举绝热电路的第一时钟端和所述的P管采样型自举绝热电路的第二时钟端接入的时钟信号幅值相同,但是相位相差90度。 | ||
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